MTE710T
La SSD M.2 MTE710T de Transcend utiliza la interfaz PCI Express (PCIe) Gen 4 x4 y es compatible con las especificaciones de NVM Express (NVMe) 1.4, consiguiendo así velocidades de transferencia nunca vistas. La MTE710T cuenta con tecnología 3D NAND de última generación, que permite apilar verticalmente 112 capas de chips 3D NAND Flash. En comparación con la tecnología 3D NAND de 96 capas, este avance en la densidad mejora en gran medida la eficiencia del almacenamiento, y su caché DRAM integrada permite un acceso más rápido. La MTE710T, equipada con la tecnología Corner Bond y con conectores PCB de 30 µ», ha pasado por numerosas pruebas internas para garantizar su fiabilidad en aplicaciones clave, y cuenta con un grado de durabilidad de 3000 ciclos de escritura y borrado, además de una temperatura de funcionamiento ampliada que oscila entre los -20 ℃ y los 75 ℃.
Caratteristiche del firmware
- Supporta i comandi NVM
- Tecnología de caché SLC
- Strozzatura termica dinamica
- Funzione LDPC ECC (Error Correction Code) integrata
- Livellamento globale avanzato dell'usura e gestione dei blocchi difettosi per l'affidabilità
- Garbage Collection avanzato
- Funzione S.M.A.R.T. potenziata per una maggiore durata.
- Comando TRIM per migliorare le prestazioni
- Crittografia dell'intero disco con Advanced Encryption Standard (AES) (opzionale)
Caratteristiche hardware
- Conforme agli standard RoHS
- Conforme alle specifiche PCI Express 3.1
- Conforme alle specifiche NVM Express 1.4
- Fattore di forma M.2 (80 mm) - ideale per i dispositivi informatici mobili
- Interfaccia PCIe Gen 4 x 4
- Modulo cache DDR4 integrato
- Resistenza: 3K cicli P/E (programma/eliminazione) garantiti
- I componenti principali sono rinforzati in fabbrica con la tecnologia Corner Bond.
- Il PCB è dotato di pin di connessione dorati da 30µ di spessore
- Affidabilità operativa promessa in un intervallo di temperatura esteso (da -20°C a 75°C)
- Supporta il software Scope Pro di Transcend
Specifiche tecniche
Aspetto |
|
| Dimensioni | 80 mm x 22 mm x 3,58 mm (3,15″ x 0,87″ x 0,14″) |
|---|---|
| Peso | 10 g (0.35 oz) |
| Fattore di forma | M.2 |
| Tipo M.2 | 2280-D2-M (fronte/retro) |
Interfaccia |
|
| Interfaccia bus | NVMe PCIe Gen4 x4 |
Immagazzinamento |
|
| Tipo di flash | Flash NAND 3D |
| Capacità | 256 GB/
512 GB/ 1 TB/ 2 TB |
Ambiente operativo |
|
| Tensione di esercizio | 3.3V±5% |
| Temperatura di esercizio |
Estensione
-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) |
| Temperatura di stoccaggio | -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
| Umidità | 5% ~ 95% |
| Sciopero | 1500 G, 0,5 ms, 3 assi |
| Vibrazioni (in funzione) | 20 G (picco-picco), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequenza) |
Alimentazione |
|
| Consumo di energia (in funzione) | 4.9 vatio(s) |
| Consumo di energia (IDLE) | 1.52 vatio(s) |
Prestazioni |
|
| Lettura/scrittura sequenziale (CrystalDiskMark) | Lettura: fino a 3.800 MB/s Escritura: Hasta 3,200 MB/s |
| 4K Lettura/Scrittura casuale (IOmetro) | Lectura: Hasta 500,000 IOPS Escritura: Hasta 560,000 IOPS |
| Tempo medio tra i guasti (MTBF) | 5,500,000 hora(s) |
| Terabyte scritti (TBW) | Hasta 1,700 TBW |
| Numero di dischi scritti al giorno (DWPD) | 1.55 (3 años) |
| Nota | La velocità può variare a seconda dell'host, dell'hardware, del software, dell'utilizzo e della capacità di archiviazione.
Il carico di lavoro utilizzato per valutare il DWPD può essere diverso rispetto al carico di lavoro effettivo, a causa della differenza di hardware, software, utilizzo e capacità di storage dell'host. Terabyte scritti (TBW) indica la resistenza sotto la massima capacità. |
