MTE652T2
L'SSD MTE652T2 M.2 di Transcend è progettato con interfaccia PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 ed è compatibile con le specifiche NVM Express (NVMe) 1.3, offrendo velocità di trasferimento ineguagliabili. L'unità MTE652T2 utilizza la più recente tecnologia 3D NAND per una maggiore efficienza di archiviazione, il PCB presenta pin di connessione dorati da 30µ di spessore e una tecnologia di incollaggio ad angolo per una maggiore durata, una cache DRAM integrata per un accesso rapido, un intervallo di temperatura operativa esteso da -20°C a 75°C e una resistenza di 3K cicli di programmazione/cancellazione per un funzionamento affidabile.
Caratteristiche del firmware
- Supporta i comandi NVM
- Strozzatura termica dinamica
- Funzione LDPC ECC (Error Correction Code) integrata
- Livellamento globale avanzato dell'usura e gestione dei blocchi difettosi per l'affidabilitÃ
- Garbage Collection avanzato
- Crittografia dell'intero disco con Advanced Encryption Standard (AES) (opzionale)
Caratteristiche hardware
- Conforme agli standard RoHS
- Conforme alle specifiche NVM Express 1.3
- Conforme alle specifiche PCI Express 3.1
- Fattore di forma M.2 (80 mm) - ideale per i dispositivi informatici mobili
- Interfaccia PCIe Gen 3 x 4
- Modulo cache DDR3 integrato
- Resistenza: 3K cicli P/E (programma/eliminazione) garantiti
- I componenti principali sono rinforzati in fabbrica con la tecnologia Corner Bond.
- Il PCB è dotato di pin di connessione dorati da 30µ di spessore
- Power Shield (PS) per garantire l'integrità del trasferimento dei dati e ridurre al minimo la corruzione dei dati nell'unità durante un'interruzione anomala dell'alimentazione.
- Affidabilità operativa promessa in un intervallo di temperatura esteso (da -20°C a 75°C)
Specifiche tecniche
Aspetto |
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| Dimensioni | 80 mm x 22 mm x 3,58 mm (3,15″ x 0,87″ x 0,14″) |
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| Peso | 9 g (0,32 oz) |
| Fattore di forma |
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| Tipo M.2 |
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Interfaccia |
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| Interfaccia bus |
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Immagazzinamento |
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| Tipo di flash |
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| Capacità |
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Ambiente operativo |
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| Tensione di esercizio |
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| Temperatura di esercizio |
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| Temperatura di stoccaggio | -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
| Umidità | 5% ~ 95% |
| Sciopero |
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| Vibrazioni (non in funzione) | 20 G (picco-picco), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequenza) |
Alimentazione |
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| Consumo di energia (in funzione) | 3,3 watt |
| Consumo di energia (IDLE) | 0,6 watt |
Prestazioni |
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| Lettura/scrittura sequenziale (CrystalDiskMark) | Lettura: fino a 2.100 MB/s Scrittura: fino a 1.250 MB/s |
| 4K Lettura/Scrittura casuale (IOmetro) | Lettura: fino a 190.000 IOPS Scrittura: fino a 290.000 IOPS |
| Tempo medio tra i guasti (MTBF) | 3.000.000 di ore |
| Terabyte scritti (TBW) | Fino a 1.080 TBW |
| Numero di dischi scritti al giorno (DWPD) | 2 (3 anni) |
| Nota |
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